带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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TSSOP48/08+
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6800
TSOP48/2403+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
6000
TSOP48/2318+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
K9F1208U0B-PCB000
500
SOP/08+
此产品原装优势现货本公司是能开17%税票单位精专于为...
K9F1208B0B-JIB0
1593
BGA/2022+
原装现货
K9F1208U0B-PCB0
5000
TSOP48/23+
长期经营各类电子芯片，只做原装20年老牌供应商
K9F1208U0C-PCB0
200
TSSOP/946
专营进口原装，优势现货
K9F1208U0C-PCB0
783
TSOPI48PIN/09+
一定原装
K9F1208UOB-JIBO
22
BGA/05+
原装现货，假一赔十
K9F1208U0C-PIBO
8000
SOP/22+
原装现货
K9F1208U0B-JIB0
3168
BGA/23+
原装假一赔十QQ373621633
K9F1208UOC-PCBO
6245
TSOP48/22+
只做原装，品质，价格
K9F1208U0C-PCBO
982
TSSOP48/21+
主营内存，闪存存储系列,原装原包，现货库存，
K9F1208R0B-JIB0
3840
BGA/12+
进口原装现货支持实单
K9F1208UOB-PCBO
50
TSOP48/1919+
原装现货
K9F1208
601
TSOP/22+
全网价保证原装
K9F1208UOC-PCBO
5085
TSOP/07+
64M x 8 Bit NAND Flash Memory - Samsung semiconduc...
K9F1208U0C-PCB0
11367
TSOP48/22+
市场价原厂原装假一罚十
K9F1208R0C-JIB0
500
BGA/23+
原装现货，高端渠道
K9F1208U0
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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K9F1208U0
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F1208B0B
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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K9F1208B0B
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F1208B0C
Samsung semiconductor [64M x 8 Bits...
SAMSUNG
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K9F1208D0A
64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG
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K9F1208D0A
64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F1208D0B
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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K9F1208D0B
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F1208Q0A
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
SAMSUNG
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交换：nand flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc／ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在fiash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中；而nand flash则需i／o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i／o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数器、1个外部中断以及jta
。 位交换：nand flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc／ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在fiash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中；而nand flash则需i／o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i／o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数器、1个外部中断以及jtag
摘要：spce061a是凌阳公司设计的一种新型的十六位单片机，该款单片机资源丰富，具有极高的性价比。该单片机内置有2路da转换，8路ad转换及在线仿真等丰富的功能，这些都为我们实现数码录音和播放提供良好的方便条件， k9f1208是三星公司生产的512m位的flash存储芯片，利用它存储凌阳格式的语音资源，可以长达32000秒语音录放。该系统可以广泛应用于需求的录音较长的场合。如录音笔、自录语音提示等应用方案。本系统提供k9f1208相关的读写模块。 关键词：spce061a k9f1208uom 数码录音 一、 系统结构 系统结构图如下： 本系统包括按键部分、音频录入部分、音频输出部分和k9f1208存储扩展等四部分。 按键部分：按键1（ioa8）是录音键，按键2（ioa9）是停止键，按键3（ioa10）是播放键。 音频录入部分：主要是由mic、自动增益电路、ad转换电路构成，通过mic采样语音数据，并经内置自动增益电路处理、ad转换后，编码并存储到k9f1208中。 音频输出部分：主要是将spce061a两路音频输出端通过s
作者：刘洪涛，华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 一、结构分析 s3c2410处理器集成了8位nandflash控制器。目前市场上常见的8位nandflash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512byte、2kbyte、2kbyte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文以s3c2410处理器和k9f1208系统为例，讲述nandflash的读写方法。 nandflash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit，这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是nand device 的位宽。这些line 组成page， page 再组织形成一个block。k9f1208的相关数据如下： 1block=32page；1page=528byte=512byte(main area)+16byte(spare area)。 总容量
让驾驶员在驾驶过程中进行报站，也存在安全隐患。 鉴于目前大部分城市公交系统均采用一人一车、自动投币、手动报站的实际情况，本文提出了一种利用gps信号实现对站点自动播报的系统。该系统可以大大减轻驾驶员的工作量，并能够杜绝驾驶员在驾驶过程中由于兼顾报站器带来的安全隐患。 1 硬件系统设计 1.1 系统硬件结构 基于gps的公交车智能报站系统是无线通信技术和gps技术的结合，整个系统由spce061a开发板、gps接收模块navmanjupiter30、nandflash存储器k9f1208和splc501液晶显示模组等组成。智能报站系统硬件电路的基本结构如图1所示。 本设计选用spce061a作为系统的核心芯片。 spce061a是凌阳科技公司开发的采用μ′nsptm（mi2crocontrollerandsignalprocessor）内核的16位微控制器，内嵌32kb的flashrom。在2.6～3.6v工作电压下，其工作速度范围为0.320～49.152mhz。高速μ′nsptm内核能够非常容易而且快速地处理各种复杂的数字信号。spce061a芯片具有的特点
and flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc／ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在fiash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中；而nand flash则需i／o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i／o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数
flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc／ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在fiash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中；而nand flash则需i／o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i／o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数器、1个外部
nand flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc／ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在fiash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中；而nand flash则需i／o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i／o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数器、1个外部中
交换：nand flash中发生的次数要比nor flash多，建议使用nand闪存时，同时使用edc/ecc算法。 使用方法：nor flash是可在芯片内执行(xip，execute in place)，应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中;而nand flash则需i/o接口，因此使用时需要写入驱动程序。 通过以上的分析和比较，nand flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用samsung公司生产的nand flash存储器芯片k9f1208作为存储介质，并应用在基于upsd3234a增强型8051单片机的嵌入式系统中。 2 upsd3234a简介 upsd3234a是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的flash psd、2块flash存储器、sram、通用i/o口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现usb、i2c、adc、dac和pwm功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时/计数器、1个外部中断以及j
请教高手lpc2294与三星nand flash的接口时序问题正设计一个以lpc2294为核心的电路板，外围电路要用到nand flash。easyarm2200的开发板的配套教材介绍了arm与k9f2808的接口电路，连接方法是oe连re，we连we，cs3&p1.23。 但我仔细阅读了lpc2294和k9f1208手册上关于读写时序的部分，好像照这样的接法不符合时序，比如 lpc2294的cs low to we low 的时间为-5 ~5 ns，而 k9f1208要求这个时间也就是tcs>=0，而arm可能会使这个时间<0.按教材上的接法，cs还和p1.23与了一下构成连接flash的片选，延迟更大了，更不能保证tcs>=0了。另外smartarm2200开发板带有nand flash，但它和arm之间有一个gal atf16lv8，是不是用它调整了读写时序？多谢解答！
k9f1208有人有k9f1208的程序例程吗?谢谢!
5v的m128与3.3v的flash的数据线可否只联？我用12mhz的m128，5v电压，外接k9f1208，只有3.3v的，我可否给k9f1208供3.3v电压，8位数据线直接和m128的a口相连？m128的5v数据输出会烧坏flash吗？
m128用总线读写三星k9f1208的nandflash问题？通过m128的io口模拟总线读写k9f1208已经成功，但用m128的总线读写时就是不给咱面子，怎么也出不来。各位指点指点！
fs, trying floppy. vfs: cannot open root device "mtdblock2" or unknown-block(2,0) please append a correct "root=" boot option kernel panic - not syncing: vfs: unable to mount root fs on unknown-block(2,0) nandflash是使用的和smdk2410一样的k9f1208，所以nandflash的驱动应该内核已经默认包含了吧，但为什么会出现no nand device found!!!呢？？ 请解决过的朋友说两句,谢谢
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