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常工作所必须的各种控制信号；实现arm处理器地址总线、数据总线和外部中断信号接入。 （3） a/d控制器 控制a/d模块的数据转换。产生a/d转换起始信号（/hold），检测数据转换完成信号（/eoc），产生fifo写入信号，实现数据转换通道选择。 （4） fifo存储器 生成3个16位、数据深度为511的fifo,完成a/d转换数据的存储。2.2 arm处理器模块 arm处理器模块由flash、sdram和s3c2410共同构建。本系统选配用samsung公司的k9f1208u0a构建8位flash存储器系统。k9f1208u0a单片容量为64 mb；选用两片单片容量为32 mb，数据宽度为16位的hy57v561620ct，并联构建32位sdram存储器系统，共64 mb的sdram空间可以满足嵌入式操作系统和各种复杂算法的运行要求。arm处理器对各模块的控制则是通过底层驱动控制协处理器fpga产生各种控制信号来实现。 图2 协处理器内部结构图 2.3 a/d模块 a/d转换芯片采用ti公司的ads8364芯片，它具有以下性能： 6个独立数据输出
etbsd和vxworks等多种操作系统，主要用来开发嵌入式系统初始化代码bootloader。bootloader是芯片复位后进入操作系统之前执行的一段代码，完成由硬件启动到操作系统启动的过渡，为运行操作系统提供基本的运行环境，如初始化cpu、堆栈、初始化存储器系统等，其功能类似于pc机的bios。u-boot执行流程图如图1所示。 图1 u-boot启动流程图nand闪存工作原理s3c2410开发板的nand闪存由nand闪存控制器(集成在s3c2410 cpu中)和nand闪存芯片(k9f1208u0a)两大部分组成。当要访问nand闪存芯片中的数据时,必须通过nand闪存控制器发送命令才能完成。所以, nand闪存相当于s3c2410的一个外设,而不位于它的内存地址区。nand闪存(k9f1208u0a)的数据存储结构分层为：1设备(device) = 4096 块(block);1块= 32页/行(page/row);1页= 528b = 数据块 (512b) + oob块 (16b)在每一页中，最后16个字节(又称oob)在nand闪存命令执行完毕后设置状态，剩余512个字节又分为前半部
电源电压：3.3V设各VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：（64M+2048K）×8位，数据存储器：（512+16）×8位；自动编程和擦除：页编程：（512+16）页，块擦除：（16K+512）字节；页读操作：页尺寸：（512+16）字节，随机存取：12μs（最大值），串行页访问：50ns（最小值）； 快速写周期时间：编程时间：200μs（典型值），块擦除时间：2ms（典型值）；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：48引脚的TSOP封装，63引脚的FBGA封装
linux、netbsd和vxworks等多种操作系统，主要用来开发嵌入式系统初始化代码bootloader。bootloader是芯片复位后进入操作系统之前执行的一段代码，完成由硬件启动到操作系统启动的过渡，为运行操作系统提供基本的运行环境，如初始化cpu、堆栈、初始化存储器系统等，其功能类似于pc机的bios。u-boot执行流程图如图1所示。 nand闪存工作原理 s3c2410开发板的nand闪存由nand闪存控制器(集成在s3c2410 cpu中)和nand闪存芯片(k9f1208u0a)两大部分组成。当要访问nand闪存芯片中的数据时,必须通过nand闪存控制器发送命令才能完成。所以, nand闪存相当于s3c2410的一个外设,而不位于它的内存地址区。 nand闪存(k9f1208u0a)的数据存储结构分层为：1设备(device) = 4096 块(block);1块= 32页/行(page/row);1页= 528b = 数据块 (512b) + oob块 (16b)在每一页中，最后16个字节(又称oob)在nand闪存命令执行完毕后设置状态，剩余512个字节又分
如果我是这样做……如果我是在flash存储中读出，就usb发送，再读出发送……其他的什么都不做，可以完成吗？flash是三星的k9f1208u0a
关于nand flash的问题请问k9f1208u0a与k9f1208u0b有什么区别?请指教.
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