LTC4443IDD-PBF
High Speed Synchronous N-Channel MOS...
LINER [Linear Technology]
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三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在6v至9.5v范围驱动高端和低端mosfet的栅极，并在电源电压高达38v时工作。“-1”版本具有较高的6.2v vcc欠压闭锁，而不是3.2v，以用来驱动标准5v逻辑n沟道mosfet。 ltc4443edd和ltc4443edd-1都采用3mm x 3mm dfn-12封装，以1,000片为单位批量购买，每片价格为1.35美元。ltc4443idd和ltc4443idd-1经过测试，保证在-40℃至85℃的工作温度范围内工作，千片批购价为1.50美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步n沟道mosfet驱动器 大驱动电流: 提供2.4a，吸收5a 自适应贯通保护 驱动3000pf负载时高端栅极下降时间为8ns 驱动3000pf负载时高端栅极上升时间为12ns 三态pwm输入用于电源级停机 集成自举肖特基二极管 最高电源电压为38v 栅极驱动电压为6v至9.5v ltc4
独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 大驱动电流: 提供 2.4a，吸收 5a 自适应贯通保护 驱动 3000pf 负载时高端栅极下降时间为 8ns 驱动 3000pf 负载时高端栅极上升时间为 12ns 三态 pwm 输入用于电源级停机 集成自举肖特基二极管 最高电源电压
三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在6v至9.5v范围驱动高端和低端mosfet的栅极，并在电源电压高达38v时工作。“-1”版本具有较高的6.2v vcc欠压闭锁，而不是3.2v，以用来驱动标准5v逻辑n沟道mosfet。 ltc4443edd和ltc4443edd-1都采用3mm x 3mm dfn-12封装，以1,000片为单位批量购买，每片价格为1.35美元。ltc4443idd和ltc4443idd-1经过测试，保证在-40oc至85oc的工作温度范围内工作，千片批购价为1.50美元。 图1：同步mosfet驱动器用于dc/dc转换器。 性能概要：ltc4443/-1 同步n沟道mosfet驱动器 大驱动电流─提供2.4a，吸收5a 自适应贯通保护 驱动3000pf负载时高端栅极下降时间为8ns 驱动3000pf负载时高端栅极上升时间为12ns 三态pwm输入用于电源级停机 集成自举肖特基二极管 最高电源电压为38v 栅极驱动电
电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 *同步 n 沟道 mosfet 驱动器 *大驱动电流: 提供 2.4a，吸收 5a *自适应贯通保护 *驱动 3000pf 负载时高端栅极下降时间为 8ns *驱动 3000pf 负载时高端栅极上升时间为 12ns *三态 pwm 输入用于电源级停机 *集成自举肖特基二极管
独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 大驱动电流: 提供 2.4a，吸收 5a 自适应贯通保护 驱动 3000pf 负载时高端栅极下降时间为 8ns 驱动 3000pf 负载时高端栅极上升时间为 12ns 三态 pwm 输入用于电源级停机 集成自举肖特基二极管 最高电源
单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40oc 至 85oc 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。
独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 大驱动电流: 提供 2.4a，吸收 5a 自适应贯通保护 驱动 3000pf 负载时高端栅极下降时间为 8ns 驱动 3000pf 负载时高端栅极上升时间为 12ns 三态 pwm 输入用于电源级停机 集成自举肖特基二极管
独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40oc 至 85oc 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 • 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 • 大驱动电流 ─ 提供 2.4a，吸收 5a • 自适应贯通保护 • 驱动 3000pf 负载时高端栅极下降时间为 8ns • 驱动 3000pf 负载时高端栅极上升时间为 1
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