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  • 设计更高能效、极低EMI准谐振适配器

    下降vcc(off)之前关闭环路,相应计算出的cvcc为3.9 ?f,我们实际选择的电容是4.7 ?f。需要给cvcc充电的电流ivcc为28.5 ?a。 如果选择的是连接大电容,则启动电阻rstartup为2.76 mω,相应的功率耗散为55 mw;如果选择的是半波连接,则计算得启动电阻为880 kω,相应的功率耗散为16 mw。由此观之,半波连接大幅降低启动电阻的功率耗散。 6) 应用同步整流 次级端的高均方根电流会导致输出二极管损耗增加。我们以极低导通阻抗的mosfet mbr20h150来替代二极管,从而提升能效及降低轻载和待机时的能耗。 相应地,可以计算60 w准谐振转换器的同步整流功率损耗为:体二极管损耗(pqdiode)为7 mw,mosfet损耗(pon)为1 w,总同步整流总开关损耗近似为1 w。相比较而言,使用mbr20200二极管时的总损耗为2.6 w,即采用mosfet来替代二极管时节省损耗约1.6 w。 性能测试 基于安森美半导体ncp1380b构建的19 v、60 w准谐振适配器的电路图如图4所示。在启动时间方面,启动电阻连接至大电容时,测

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