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  • MGSF1N02LT1G的技术参数

    产品型号:mgsf1n02lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):130最大漏极电流id(on)(a):0.750通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.75a,20v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.50 来源:xiangxueqin

  • MGSF1N02LT1G的技术参数

    产品型号:MGSF1N02LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130
    最大漏极电流Id(on)(A):0.750
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):...

mgsf1n02lt1g替代型号

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