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  • MGSF1N03LT1G的技术参数

    产品型号:MGSF1N03LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145
    最大漏极电流Id(on)(A):2.100
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):...

  • 输出部分场效应管老是损坏,请帮忙分析,附贴图!

    输出部分场效应管老是损坏,请帮忙分析,附贴图!实际负载电流在1a以下,电阻性负载,控制它的负极到地。不存在冲击电流。输出端场效应管驱动电压g极通过上拉电阻后达到12v。场管型号mgsf1n03,耐压30v,封装为贴片sot23,过流2.1a,但是实际应用中到目前为止已经损坏了30个了。不知道是何原因?../uploadfile/200705160226481170.jpg../uploadfile/200705160226481170.jpg

mgsf1n03替代型号

MGSF1N02LT1G MGSF1N02ELT1 MGS1100 MGFS45H2201G MGFS39E2527 MGF1801 MGF1302 MGCT03 MGCT02 MGA86576

MGSF1N03LT1G MGSF2N02ELT1G mgsf3441 MH15 MH88500 MH88612 MH89790 MHV5IC2215N MHW1345 MHW2040AT

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