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MMBF170 N-Channel Enhancement Mode Field Eff... FAIRCHILD MMBF170PDF下载
MMBF170 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF... DIODES MMBF170PDF下载
MMBF170 N-Channel Enhancement Mode Field Eff... FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] MMBF170PDF下载
MMBF170 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF... DIODES [Diodes Incorporated] MMBF170PDF下载
MMBF170L 银河微电子 MMBF170LPDF下载
MMBF170LT1 Power MOSFET 500 mA, 60 V ONSEMI MMBF170LT1PDF下载
MMBF170LT1 TMOS FET Transistor MOTOROLA MMBF170LT1PDF下载
MMBF170LT1 Power MOSFET 500 mA, 60 V ONSEMI [ON Semiconductor] MMBF170LT1PDF下载
MMBF170LT1 TMOS FET Transistor MOTOROLA [Motorola, Inc] MMBF170LT1PDF下载
MMBF170LT3 Power MOSFET 500 mA, 60 V ONSEMI MMBF170LT3PDF下载

mmbf170价格行情

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历史最低报价：￥0.0600 历史最高报价：￥2.5000 历史平均报价：￥0.4335

型号厂家封装批号数量日期价格
MMBF170 ON SOT-23 10+ 30000 2012/7/9 9:26:54 0.0600/pcs
MMBF170 ON SOT-23 10+ 12000 2013/5/10 16:14:20 0.0650/pcs
MMBF170 ON 05+ 12+ 63000 2013/5/17 10:38:00 0.1000/pcs
MMBF170 FSC SOT-23 2012+/13+PBF 333000 2013/5/4 10:54:00 0.1000/pcs
MMBF170 FAI/NXP SOT-23 10+（ROHS） 45820000 2011/5/17 13:21:37 0.1000/pcs
MMBF170 SK SOT-23 12+ 3000 2012/7/9 11:16:49 0.1200/pcs
MMBF170 ON SOT-23 07+ 300000 2010/8/24 15:21:27 0.1300/pcs
MMBF170 FAIRCHILD SOT-23 09++ 999800 2010/8/23 11:18:06 0.1400/pcs
MMBF170 DIODES/ON/FSC SOT23 2010+(ROHS) 3000 2011/5/17 23:25:10 0.1500/pcs
MMBF170 ON SOT-23 09+ 26000 2011/5/23 11:24:46 0.1600/pcs

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引脚图及结构图
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产品培训模块:
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
标准包装:
3,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
500mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
5 欧姆 @ 200mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
-
输入电容 (Ciss) @ Vds:
40pF @ 10V
功率 - 最大:
300mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装:
SOT-23
包装:
带卷 (TR)
其它名称:
MMBF170TR

MMBF170LT3G的技术参数
产品型号:MMBF170LT3G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
最大漏极电流Id(on)(A):0.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥....
MMBF170LT1G的技术参数
产品型号:MMBF170LT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
最大漏极电流Id(on)(A):0.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥....
MMBF170LT1的技术参数
产品型号:MMBF170LT1
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
最大漏极电流Id(on)(A):0.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥.6...

MMBF170
0.5A/60V

请大家提供一些贴片MOSFET的型号，谢谢！
你需要的电流，vds？p沟道，n沟道？什么封装的sot23： n沟道，mmbf170；p沟道，ntr4101p。

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产品培训模块:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

MMBF170LT3G的技术参数

MMBF170LT1G的技术参数

MMBF170LT1的技术参数

MMBF170

请大家提供一些贴片MOSFET的型号，谢谢！

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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

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MMBF170LT1G的技术参数

MMBF170LT1的技术参数

MMBF170

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