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当前位置：维库电子市场网>IC>mmbf170 更新时间:2026-05-17 23:38:46

mmbf170供应商优质现货

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  • 深圳市华美锐科技有限公司

  • MMBF170

  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 1985

  • FSC

  • SOT23/1016+

  • -

mmbf170PDF下载地址

mmbf170价格行情

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历史最低报价：￥0.0600 历史最高报价：￥2.5000 历史平均报价：￥0.4335

mmbf170中文资料

  • 产品培训模块:

    High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch

  • 标准包装:

    3,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    500mA

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    5 欧姆 @ 200mA，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    3V @ 1mA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    -

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    40pF @ 10V

  • 功率 - 最大:

    300mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    MMBF170TR

  • MMBF170LT3G的技术参数

    产品型号:MMBF170LT3G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
    最大漏极电流Id(on)(A):0.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥....

  • MMBF170LT1G的技术参数

    产品型号:MMBF170LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
    最大漏极电流Id(on)(A):0.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥....

  • MMBF170LT1的技术参数

    产品型号:MMBF170LT1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
    最大漏极电流Id(on)(A):0.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥.6...

  • MMBF170

    0.5A/60V

mmbf170替代型号

MMBF0201NLT1G MMBD914LT1G MMBD914 MMBD701LT1G MMBD7000LT1G MMBD6100LT1G MMBD6050LT1G MMBD4448HTW MMBD4448HSDW MMBD4448HCDW

MMBF170LT1 MMBF170LT1G MMBF170LT3G MMBF2201NT1G MMBF2202PT1G MMBF4391LT1G MMBF4392LT1G MMBF4416LT1G MMBF5457LT1G MMBF5460LT1G

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