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  • MMBF170LT3G的技术参数

    产品型号:mmbf170lt3g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):－最大漏极电流id(on)(a):0.500通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.5a,60v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):￥.60 来源:xiangxueqin

  • MMBF170LT3G的技术参数

    产品型号:MMBF170LT3G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
    最大漏极电流Id(on)(A):0.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥....

mmbf170lt3g替代型号

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