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飞思卡尔发布基于高压射频功率技术的ISM设备
m的创新产品飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场：hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb（功率150w，效率69%，增益25db）及mrf6v2010nb（功率10w，效率68%，增益25db）。对于2.45 ghz的ism频带，飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备：mrf6p24190h（功率190w，效率46%，增益13db）、mrf6s24190h（功率140w，效率46%，增益13db）和mw6ic2420nb（二级20w，效率21%，增益21db）。产品供货信息上述所有六种ism设备现在已经提供样品。来源:小草

飞思卡尔欲建立工业、科学和医疗应用射频功率性能新标准
m的创新产品飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场：hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb（功率150w，效率69%，增益25db）及mrf6v2010nb（功率10w，效率68%，增益25db）。对于2.45 ghz的ism频带，飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备：mrf6p24190h（功率190w，效率46%，增益13db）、mrf6s24190h（功率140w，效率46%，增益13db）和mw6ic2420nb（二级20w，效率21%，增益21db）。产品供货信息上述所有六种ism设备现在已经提供样品。另外，所有三种2.45 ghz的设备已经投产。mrf6v2150nb计划于2006年8月完全投产，而mrf6v2300nb和mrf6v2010nb则计划于2006年第四季度完全投产。
飞思卡尔欲建立多应用的射频功率性能新标准
的创新产品飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场：hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb（功率150w，效率69%，增益25db）及mrf6v2010nb（功率10w，效率68%，增益25db）。对于2.45 ghz的ism频带，飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备：mrf6p24190h（功率190w，效率46%，增益13db）、mrf6s24190h（功率140w，效率46%，增益13db）和mw6ic2420nb（二级20w，效率21%，增益21db）。产品供货信息上述所有六种ism设备现在已经提供样品。另外，所有三种2.45 ghz的设备已经投产。mrf6v2150nb计划于2006年8月完全投产，而mrf6v2300nb和mrf6v2010nb则计划于2006年第四季度完全投产。

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飞思卡尔欲建立工业、科学和医疗应用射频功率性能新标准

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