MRF6S21100N
RF Power Field Effect Transistors
FREESCALE
MRF6S21100NPDF下载
MRF6S21100NR1
RF Power Field Effect Transistors
FREESCALE
MRF6S21100NR1PDF下载
MRF6S21100NBR1
RF Power Field Effect Transistors
FREESCALE
MRF6S21100NBR1PDF下载
sfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内，这些设备是： mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器，具有23 dbm的输出功率、 27.5 db的增益、49 dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-5
无线基础架构设备生产商可以继续灵活地从同一个可靠的大量半导体供应商处选择高电压的陶瓷或塑料射频晶体管。飞思卡尔的第6代ldmos陶瓷系列最初包括mrf6s19100h／s、mrf6s19140h／s、mrf6s21100h／s和mrf6s21140h／s设备。它的第6代ldmos塑料产品系列具有可靠、强大、经济的特点，是陶瓷产品的替换品。塑料产品系列最初包括mrf6s19060n／nb、mrf6s19100n／nb、mrf6s21060n／nb和mrf6s21100n／nb设备。 飞思卡尔为射频设计者提供全面的模型库和仿真工具，在计算机辅助设计环境中全面帮助识别射频产品。该模型和仿真功能可以缩短设计和面市的时间。 ●使用方便、周期短 如果您有一项任务要做，并且希望凭借某些元件更快地完成任务，飞思卡尔rf解决方案就能帮您实现：
s 和 mosfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内，这些设备是： mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器，具有23 dbm的输出功率、 27.5 db的增益、49 dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 db
联系人：
联系方式：
