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产品型号:mtd6n20et4g源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):700最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:n沟道封装/温度(℃):3dpak/-55~150描述:6a,200v,dpak,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥6.86 来源:xiangxueqin
产品型号:MTD6N20ET4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):3DPAK/-55~150
描述:6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.86
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