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nand128w3a2bn6e中文资料

  • ST 128兆位 NAND 闪存芯片

    意法半导体（stmicro）今天宣布128兆位nand闪存芯片nand128w3a2bn6e的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、pda、机顶盒（stb）、打印机和捆绑式闪存卡。st的nand128是当今市场上仅有的一个采用90nm 制造工艺的128-mbit nand 闪存。 新产品证明了st继续开发低密度“小页”nand闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。nand128w3a2bn6e 是一个采用tsop封装的3v产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256-mbit和512-mbit的nand闪存（均有3v 和1.8v两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 nand128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的nand接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高（或更低）密度的改进系统。 st提供的软件工具套件支持快速的产品开发，能够

  • 意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存

    闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128mbit nand闪存nand128w3a2bn6e。 nand128w3a2bn6e 是一个采用tsop封装的3v产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256mbit和512mbit的nand闪存（均有3v 和1.8v两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 nand128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的nand接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高（或更低）密度的改进系统。 新的闪存芯片由1024个标称16字节的区块组成，每个区块又分成512字节的页面，每页还有16个备用字节，同时每个页面均可执行读取与编程操作。备用字节用于纠错、软件卷标或坏块识别。备份编程（copy back program）模式能给储存在某一个页面的数据编程，然后将编程数据直接转存到另一个页面上，而无需额外的缓存。当页面编程操作因一个损坏区块而失败时，这个功能特别有用。新器件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需

  • ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存

    闪存芯片供应商意法半导体(st)日前宣布128兆位nand闪存芯片nand128w3a2bn6e的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、pda、机顶盒(stb)、打印机和捆绑式闪存卡。st的nand128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-mbit nand闪存。 新产品证明了st继续开发低密度“小页”nand闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。nand128w3a2bn6e是一个采用tsop封装的3v产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256-mbit和512-mbit的nand闪存(均有3v和1.8v两个版本)也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 nand128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的nand接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高(或更低)密度的改进系统。 st提供的软件工具套件支持快速的产品开发，能

  • ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存

    意法半导体公司(st)推出采用90nm工艺技术的128mb nand闪存器件――nand128w3a2bn6e。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、pda、机顶盒(stb)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍，nand128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128mb闪存。 nand128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接，降低了引脚数量，允许使用标准组件的nand接口，使制造商能生产更高(或更低)容量的产品，而不用改变占位面积。 该公司提供的软件工具链有助于加快产品开发速度，并延长存储器芯片的使用时间。工具包括误差修正码(ecc)软件；用来识别和替代区块的坏区块管理(bbm)(在擦除或编程操作时，通过将数据复制到正确区块实现)；通过在所有区块分配“擦除和程序”(erase and program)操作的wear leveling算法，以优化器件的使用年限；文件系统os参考软件，以及硬件仿真模型。 此存储器有1024个名义上16kb区块，每个能分成512b的页，每页有1

  • ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存

    意法半导体公司(st)推出采用90nm工艺技术的128mb nand闪存器件——nand128w3a2bn6e。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、pda、机顶盒(stb)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍，nand128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128mb闪存。 nand128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接，降低了引脚数量，允许使用标准组件的nand接口，使制造商能生产更高(或更低)容量的产品，而不用改变占位面积。 该公司提供的软件工具链有助于加快产品开发速度，并延长存储器芯片的使用时间。工具包括误差修正码(ecc)软件；用来识别和替代区块的坏区块管理(bbm)(在擦除或编程操作时，通过将数据复制到正确区块实现)；通过在所有区块分配“擦除和程序”(erase and program)操作的wear leveling算法，以优化器件的使用年限；文件系统os参考软件，以及硬件仿真模型。 此存储器有1024个名义上16kb区块，每个能分成512b的页，每页有16个空余字节(b

nand128w3a2bn6e替代型号

NAND08GW3B2A NAME NAIS NACW215 N9926A N9340B N9340A N9310A N926 N87C196MC

NAND256 NAND256W3A NAND512W3A NANO NANTES NATIONAL NB100 NB100ELT23LDG NB100LVEP221FAG NB100LVEP222FAG

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