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ST推出256M NAND闪存
st近日宣布已大批量生产256m" small page" nand闪存vfbga55版芯片，采用8x10mmbga封装形式，适用于便携式设备，如照相手机、智能手机、低成本数码相机、pda和usb相机存储棒，以及其他空间受限产品。这种厚度为1mm的封装形式保持了与其他nand产品间的疏通兼容性，却可节省约20%板空间。nand256属于st公司的nand系列闪存产品，包括128m、256m、512m和1g设备，工作电压为1.8v或3.0v。它提供超快速数据吞吐率和擦除功能，以及手机、pda和其他便携式设备所需的低功耗编程和低电压操作特性。它采用先进的120nm技术，具有小存储单元尺寸，可保证价格敏感产品获得最低成本。存储器集成在2048个16k模块内，每个模块可分为若干个512字节的页，每页又会闲置出16字节，用于页进行读取和编程操作。这些闲置字节通常用于纠错编码（error correction code）、软件标记或损坏块鉴定。缓存编程模块可使存储在一页中的数据被直接编程进另一页，通常用于从故障块内移出数据。块擦除命令的擦除时间为2ms，每块