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ndp6020p价格行情

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历史最低报价：￥0.3000 历史最高报价：￥22.3000 历史平均报价：￥3.4826

型号厂家封装批号数量日期价格
NDP6020P FAIRCHILD 05+ 6600 2006/9/6 0:00:00 0.3000/pcs
NDP6020P NS TO-220 97+ 8000 2010/9/8 17:57:59 1.7500/pcs
NDP6020P KA TO-220 05+/06+/07 2007/8/8 0:00:00 1.8000/pcs
NDP6020P KA TO- 05+/04+ 2007/8/8 0:00:00 1.8000/pcs
NDP6020P TO-220 2007/8/8 0:00:00 2.0000/pcs
NDP6020P FAIRCHILD TO-220 08+ 8000 2010/9/9 10:46:39 2.1000/pcs
NDP6020P 03+ 2007/5/14 0:00:00 2.2000/pcs
NDP6020P NSC TO-220 06+ 2007/8/8 0:00:00 2.3000/pcs
NDP6020P TAIWAN TO-220 03+ 2006/9/6 0:00:00 2.3000/pcs
NDP6020P NSC TO-220 2007/5/8 0:00:00 2.4000/pcs

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相关电路图

产品培训模块:
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:
50
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
50 毫欧 @ 12A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
35nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1590pF @ 10V
功率 - 最大:
60W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件

TC3827充电控制器IC与μC结合的应用电路
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产品培训模块:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

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