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  • NIMD6302R2的技术参数

    产品型号:nimd6302r2源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50最大漏极电流id(on)(a):－通道极性:n沟道封装/温度(℃):so8/-55~175描述:双n沟道mosfet价格/1片(套):￥21.00 来源:xiangxueqin

  • NIMD6302R2的技术参数

    产品型号:NIMD6302R2
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
    最大漏极电流Id(on)(A):－
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SO8/-55~175
    描述:双N沟道MOSFET
    价格/1片(套):￥21.00


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