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  • NTD20N06LT4G的技术参数

    产品型号:ntd20n06lt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):48最大漏极电流id(on)(a):20通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:20 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):￥4.50 来源:xiangxueqin

  • NTD20N06LT4G的技术参数

    产品型号:NTD20N06LT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):48
    最大漏极电流Id(on)(A):20
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:20 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.50

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