NTP65N02R
8000
TO2203/23+
原厂渠道,现货配单
NTP65N02R
30000
TO220AB/23+
全新原装,假一罚十
NTP65N02R
22100
TO220/23+
主营ON,原厂代理,保证
NTP65N02R
6850
TO220/21+
只做原装假一赔十正规渠道订货
NTP65N02R
50000
MOSFET NCH 25V 7.6A TO220AB/2020+
原装现货配单
NTP65N02R
9200
TO220AB/23+
只做原装更多数量在途订单
NTP65N02R
4980
TSSOP/2021+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
NTP65N02R
8913
TO2203LEADSTANDA/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
NTP65N02R
9800
TO220/11+
全新原装,,公司现货供应
NTP65N02R
28888
-/21+
原厂渠道,现货配单13312978220
NTP65N02R
5000
TSSOP/22+
现货假一罚万只做原厂原装现货
NTP65N02R
11758
TO220 3 LEAD STANDA/22+
全新原装现货热卖
NTP65N02R
82801
-/23+
只做原装,提供配单服务
NTP65N02R
20000
TO220/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格
NTP65N02R
8000
TO2203/23+
原厂渠道,现货配单
NTP65N02R
30000
N/A/22+
只做原装假一罚十
NTP65N02R
25000
TO2203LEADSTANDA/22+
只做原装进口现货,专注配单
NTP65N02R
154836
TO263/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NTP65N02R
31200
TSSOP/24+
房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
产品型号:ntp65n02r源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):65通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~150描述:75a,60v功率mosfet价格/1片(套):¥5.70 来源:xiangxueqin
容易,既减少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:零八我的爱
波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r 和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:小草
产品型号:NTP65N02R
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
最大漏极电流Id(on)(A):65
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
描述:75A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):¥5.70
&nbs...
转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 个先进电源管理器件,并利用先进的分立元件技术取得性能上的突破。