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产品型号:ntqd6866r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30最大漏极电流id(on)(a):6.900通道极性:n沟道封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150描述:6.9 a, 20 v功率mosfet价格/1片(套):¥5.00 来源:xiangxueqin
产品型号:NTQD6866R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30
最大漏极电流Id(on)(A):6.900
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TSSOP8 /-55 ~150
描述:6.9 A, 20 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥5.00