2500
QFN20/-
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PE42742MLIBB-Z
60868
QFN20/2025+
全新原装自己现货优势
PE42742-52
5987
-/07+
原装现货
PE42742
12000
QFN/0736+
库存现货特价
PE42742
24000
SMD/21+
全新原装现货特价热卖
PE42742
65428
QFN/22+
只做现货,一站式配单
PE42742
3688
-/2025+
一级代理,原装假一罚十价格优势长期供货
PE42742
80000
-/23+
原装现货
PE42742
80000
-/23+
原装现货
PE42742
5000
QFN/23+
优势产品大量库存原装现货
PE42742
16800
QFN/1808+
原装正品,亚太区混合型电子元器件分销
PE42742
48000
QFN/24+
原装现货,可开专票,提供账期服务
PE42742
60701
QFN/24+
深圳原装现货,可看货可提供拍照
PE42742
5800
QFN/23+
进口原装现货,杜绝假货。
PE42742
1590
-/24+
只做进口原装实单供图确认
PE42742
9000
QFN20/23+
只做进口原装假一赔十
PE42742
304047
QFN/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
PE42742
168000
QFN/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
PE42742
789
QFN20/1019+
一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
PE42742
164
QFN/2024+
只做原厂原装假一罚十可含税
射频cmos集成电路供应商peregrine半导体公司今日宣布,pe42742宽带用高性能射频开关正式上市。该器件阻抗为75ω,设计标准比严格的fcc(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88db @ 216mhz及78db @ 806mhz。独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。本器件有众多要求,比单纯遵守fcc对catv就天线隔离所做的规定更为严格,上述设计性能便是其中之一。 “pe42742表明,ultracmos技术卓越的线性度及隔离优势,造就高价值、创新型射频集成电路,其性能在宽带行业卓尔不群。”peregrine行销副总裁rodd novak说道。“本产品致力解决dtv、tv及dvr行业遭遇的技术挑战,从而得到了设计这些终端产品的工程师的热烈反响。此外,pe42742设计基础为高性能ultracmos,足以成为其他类型宽带应用的可行解决方案。” pe42742具有很高的iip3(50dbm @ 5mhz–1ghz)和iip2(90dbm @ 5mhz—1ghz),-90dbc的ctb和1.0k
射频cmos集成电路供应商peregrine半导体公司今日宣布,pe42742宽带用高性能射频开关正式上市。该器件阻抗为75ω,设计标准比严格的fcc(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88db @ 216mhz及78db @ 806mhz。独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。本器件有众多要求,比单纯遵守fcc对catv就天线隔离所做的规定更为严格,上述设计性能便是其中之一。 “pe42742表明,ultracmos技术卓越的线性度及隔离优势,造就高价值、创新型射频集成电路,其性能在宽带行业卓尔不群。”peregrine行销副总裁rodd novak说道。“本产品致力解决dtv、tv及dvr行业遭遇的技术挑战,从而得到了设计这些终端产品的工程师的热烈反响。此外,pe42742设计基础为高性能ultracmos,足以成为其他类型宽带应用的可行解决方案。” pe42742具有很高的iip3(50dbm @ 5mhz–1ghz)和iip2(90dbm @ 5mhz—1gh
半导体公司日前推出pe42742宽带用高性能射频开关,该器件阻抗为75ω,设计标准比严格的fcc(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平据称业内最高,为88db @ 216mhz及78db @ 806mhz。独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。据介绍,pe42742具有很高的iip3(50dbm @ 5mhz~1ghz)和iip2(90dbm @ 5mhz~1ghz),-90dbc的ctb和1.0kv hbm的高esd裕度。本器件还有独特的“端接”和“闭合”断电模式,从而得以适用于任何dtv、tv、dvr或机顶盒。在这些设备中,关闭状态下的反射信号可能会影响本机图像。该器件同样适用于dvr和游戏平台,此时catv信号必须在断电状态下通过器件。ultracmos混合信号工艺技术使用蓝宝石衬底,是绝缘体上覆硅(soi)技术的扩展,受专利保护,可提高收益并降低成本。与首先强调射频性能、低功率和集成的gaas、sige bicmos及bulk cmos等竞争应用工艺相比,此技术具有性能优势。pe42742采用4×4mm、20引脚的qfn封装,以10,000为单位时单价为1