nd longer service life for many components and assemblies. qi wang has served as lead applications engineer and currently is involved in product marketing at keithley instruments. dr. wang has more than 15 years experience in semiconductors, optical physics, and dc and rf measurements. he received a ph.d. in physics from texas a&m university and a b.s. in physics from beijing normal university. from http://www.automotivedesignline.com/howto/197005824;jsessionid=uotarmtqh0chuqsndlpckh0cjunn2jvn
otonic band gap materials，nato, asi, edited by c. m. soukoulis (kluwer, dordrecht, 1996).[5] photonic band gaps and localization, nato arw, edited by c. m. soukoulis (plenum, new york, 1993).[6] e. m. purcell, phys. rev. 69, 681 (1964). [7] s. john, physics today 32, 33 (1991).[8] scattering and localization of classical waves in random media, edited by p. shen (wrold scientific, singapore, 1990).[9] j. m. drake and a. z. genack, phys. rev. lett. 63, 259 (1989).[10] s. l. mccall, p. m. platzman, r. dal
生紫外光和绿光。其紫外光的比例较高和半高宽较窄。参考文献[1] j. c. johnson, et al., j. phys. chem. b 105(2001): 11387．[2] z. w. pan, z. r. dai, z. l. wang , science 291(2001):1947．[3] h. kind, h. q. yan, b. messer, et al., adv. mater. 14(2001):158．[4] c. j. lee, et al., applied physics letter, 81(2002): 3648．[5] won il park, gyu-chul yi, miyoung kim and stephen j. pennycook, adv. mater. 14(2002):1841．[6] won il park, gyu-chul yi, miyoung kim and stephen j. pennycook, adv. mater. 15(2003):526．[7] lionel vayssieres,, adv. mater. 15(
存在着电路规模大和泄漏电流导致的待机耗电增加的问题。解决这些问题的方法包括，采用将运算逻辑部分和内存部分紧密配置在一起的“logic in memory architecture”，同时把内存部分改为非易失性内存。 此次试制的芯片为全加器。由“sum”和“carry”部分构成，芯片的面积方面，sum部分为15.5μm×10.7μm，carry部分为13.9μm×10.7μm。cmos逻辑部分采用日立制作所的0.18μm工艺制成。 此次成果已刊登在日本应用物理学会杂志“applied physics express”的2008年8月22日电子版上。 硅芯片上层叠mtj的集成电路结构 请登陆: 维库电子市场网（www.dzsc.com） 浏览更多信息 来源:ks99
inger et al., cond-mat/0102242, 2001.[4] 郝建华.光与新型氧化物材料的相互作用及其应用[ｊ].物理, 2001, 30(7): 420～424.[5] 郁伟中，正电子物理及其应用（北京：科学出版社，2003），1-112[6] 何元金. 高临界温度超导体的正电子淹没谱研究[a ]. 甘子钊, 韩汝珊, 张瑞明. 氧化物超导材料物性专题报告文集[c ]. 北京: 北京大学出版社, 1988. 130～ 139[7] alexei m . frolov，physics letters a 342 (2005) 430–438[8] e.boron ski_, h.stachowiak physica b 366 (2005) 168–184 来源:零八我的爱
括物理方面最著名的 《物理评论通讯 (phys. rev. lett) 》(两篇)，微电子器件领域最有影响的《国际电子器件年会报告文集(ieee iedm) 》(两篇)，《应用物理通讯 (appl.phys.lett.) 》(14篇)，及phys. rev., j. appl., phys, j. phys., ieee photonic technology letters, ieee tmtt, iee electronics letters，solid state electronics和physics letters等30篇。以及即将发表的集成电路领域国际最有影响的《固态线路杂志》。 黄教授主要工作包括： 在国际上首先提出低维超晶格系统的表面量子态理论，是1930年代tamm在固体物理中首先提出一种固体表面态(称为所谓的tamm态)但却从未被实验证实以来，相关理论的一个重要进展。所预言的量子态被随后的实验证实。 在纳米可协变衬底领域发表的phys. rev. lett等刊物上的工作，在《世界科学出版社》社长所发的综述文章约稿邀请函中被评价为“具有很大意义
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led，并且相信他们是第一个将倏逝波应用于此的团队。英国glasgow大学faiz rahman目前正致力于利用纳米压印法提升led的光提取率，他表示aist使用的机制类似声波原理，提供了一种吸引人的方法来提升了led亮度。 ridged epitaxial structure rahman指出aist基板结构的制造方法与其它led研究团队直接在外延结构上定义图案的方法截然不同，而制作沟槽基板(grooved susbtrate)的难易程度将决定这项技术未来的发展。详见applied physics letters 94, p.091102 (2009)。
美国加州大学圣塔巴巴拉分校（ucsb）教授中村修二领导的研究小组研制的在gan结晶非极性面（nonpolar）上形成的蓝紫色半导体激光器（以下，非极性蓝紫色半导体激光器）的详细情况现已公开。 该研究小组于2007年1月宣布开发出了世界首个非极性蓝紫色半导体激光器，但出于研究成果正在向论文期刊投稿中等原因，技术的详细未作公开。此次，“japanese journal of applied physics（jjap）”（vol.46，no.9，2007）学术杂志刊登了该激光元件的特性及元件构造（刊登在pp.l190-l191）。该论文的成果是继发光二极管（led）之后，中村研究小组利用gan结晶非极性面和半极性面开发发光元件的又一新成果。 公布共振器长度和转位密度 目前市场上的蓝光光驱和hd dvd光驱使用的蓝紫色半导体激光器是在gan结晶的极性面c面（（0001）面）上形成的激光元件。非极性面是指极性面法线方向上的面（参照图片）。利用非极性面，在理论上有助于外部量子效率和发光效率的提高。但是，在gan结晶非极性面上制作激光元件需要克服多个难题。例如利用非极性面会
高了电路的频率，但与成熟的硅工艺不兼容而受到限制。sige新材料的出现对利用强大而成熟的硅工艺制作超高速集成电路带来了生机。sige 材料由于禁带带隙可由ge含量调节和易于与硅工艺兼容等优点，被广泛用于高频双极型晶体管（hbt）、mosfet 和modfet的制作。同时还扩展了硅在光电子领域的应用前景。作为申请人的博士论文工作，从92年起开展用sige材料作光波导及电光调制器与电光开关的研究，曾得到国家自然基金项目（编号69487006）的资助，已分别在美国物理学会主办的著名刊物applied physics letters和英国的electronics letters以及中国物理快报发表多篇学术论文。 随着电力电子技术应用中主开关器件工作频率的不断提高，对功率二极管性能要求低正向压降、高反向电压、小反向漏电流、快开关速度、低运行损耗和低温度敏感性，还要具有软恢复特性。多年来硅p-i-n 二极管一直在这方面扮演着主要角色。为了降低由于频率升高引起的器件开关损耗，一般采用少子寿命技术（掺铂、辐照等）来降低存储电荷q，但是该技术在降低存储电荷的同时，会增加器件的通态压降vf和反向漏电流ir。不能改善三
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carlo parameters.generally for cmos offset is around 10mv. a common method to reduce offset is increasing w and l.u can derive the offset relation with delta w,delta l,delta vth from i-v relation. it is similar to error transfer function. check any physics lab book for that.另外,比较器通常都需要仿那些参数?我采用7管结构,仿真出的延迟时间有2us,为什么有这么大?我直接用pwl源加的阶跃信号. -- check any commercial comparator datasheet for specifications. i have no idea about ur delay problem.
979) an electrically alterable nonvolatile memory cell using a floating gate structure. ieee transactions on electron devices. ed-26, 576.[12] lezlinger, m. and snow, e. h. (1969) fowler-nordheim tunneling in thermally grown sio2. journal of applied physics. 40, 278.[13] tam, s., ko, p., and hu, c. (1984) lucky-electron model of channel hot-electron injection in mosfet's. ieee transactions on electron devices. ed-31, 1116.[14] takeda, e., kume, h., toyabe, t., and asai, s. (1982) submicrometer mosfet s
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