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基于3G手机的RF屏蔽设计
高q槽路所受到的影响将明显大于给单一共振带来的简单变化。最后的任务是对不带屏蔽的txm进行辐射测量并将结果与采用microshield集成rf屏蔽技术的txm进行对比。为实施准确测量，必须避免待测pcb上从连接器和其它板上电路造成的rf功率泄漏；因此，为进行这些测量所设计的测试板包含若干独立屏蔽容器，如图5所示。全部辐射测量都是在丹麦哥本哈根的delta technologies进行的。被测设备放在不吸收和不反射材料的表面(图6)。在该测试中，rfmd的另一款txm产品(rf3282)用作测试载体。图7显示的是发自rf3282 txm的辐射功率。红色图表示没有屏蔽的txm，蓝色图表示的是采用microshield屏蔽的txm。注意：为更清楚地显示两种被测器件的差异，蓝色图被稍微右移。如图所示，microshield集成rf屏蔽显著降低了辐射功率。在10.5ghz仅有一个示警。它昭示着这两种情况：或是存在另一种模式(腔模式)，或是结果也许与流经屏蔽表面的地电流相关。但无论如何，对辐射功率的平均衰减可达15db或更高。我们讨论了microshield屏蔽

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