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1. 地址缓冲器 在提供给存储器的sa0～sa15地址中加人缓冲器。缓冲器利用74ls244也可以，但因为741ls245布线简单，所以通过74ls245可单向使用。 2. 数据缓冲器 因为数据需要双向进行，所以要利用74ls245进行接收。将栅极一直打开，通过对存储器的读信号来进行方向控制。本次我们采用将pld上存储器的读信号设置为只在cs1有效时才输出的方法。 3. pld（memdec） ld应用于生成对存储器的片选、de以及we信号中。片选信号是在刷新周期以外、当地址高位（sa16～sa19）为dh（将d0000h～dffffh设置在sram主板空间）、且bale为低电平时被选择的。 将存储器的读／写信号设置为当片选和smemr／smemw有效时输出。 4. 各份电源的切换 电池各份的重点在于电源切换和片选信号的控制。本次为了简单起见，只单纯获取vcc和电池（为cn2提供3.6v的电池）的二极管or，但需要注意二极管正向电压降。如果电源电压比所提供的电压低很多，则可能发生超出操作电压或者输入引脚的电压高于电源电压的情况。 5
源配置的麻烦。rtl8019as的总线接口是与isa总线兼容的，虽然不能与c5402的外部总线直接接口，但是只要进行一些简单的逻辑变换就可以了。另外，c5402的总线电平是3.3v的，而rtl8019as的接口电路是5v的，二者接口时要使用电平转换器。c5402与rtl8019as的接口如图2所示。 （1）地址总线 rtl8019as的20根地址线主要是为了读/写自举rom，对于i/o端口寻址来说只要16根地址线就足够了，因此将dsp的地址总线a0～a15与rtl8019as的地址总线sa0～sa15相连，而sa16～sa19全部接地。由于dsp系统无dma控制器，因此将rtl8019as的aen引脚也接地。 （2）数据总线rtl8019as的iocs16引脚接高电平，选择16位数据总线方式，并且使用了电平转换器。 （3）中断连接 虽然rtl8019as有7个中断输出，但只要从中选择一个送往c5402的外部中断输入口就可以了。中断接口也使用了电平转换器。 （4）读/写控制c5402的i/o口控制信号is、iostrb、r/w等信号经过74hact139译码后与rtl8019as的ior
产品型号:SA15AG
峰值反向工作电压VRWM(V):15
雪崩电压VBR Min(V):16.700
IT(mA):1
最大反向电压(钳位电压)VC(V):24.400
最大反向漏电流IR(uA):1
封装/温度(℃):轴芯线/-55~175
价格/1片(套):￥1.40
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产品型号:SA15A
峰值反向工作电压VRWM(V):15
雪崩电压VBR Min(V):16.700
IT(mA):1
最大反向电压(钳位电压)VC(V):24.400
最大反向漏电流IR(uA):1
封装/温度(℃):轴芯线/-55~175
价格/1片(套):￥1.39
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瞬态电压拟制二极管,20.4V,1.0A,500W电流参数：IT=1mA/IPPM=19A/IR=3μA电压参数：URWM=15V/UBR=16.7~20.4V/UC=26.9V功 率：PPPM=500W/PD=1W备 注：瞬态电压抑制二极管
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