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  • 从安全工作区探讨IGBT的失效机理

    讨论了短路持续时间tsc和栅压vg、集电极—发射极导通电压vce(on)及短路电流isc的关系。 1、 引言 半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作区(safe operating area简称soa)使用引起的。因此全面了解soa,并在使用中将igbt的最大直流电流ic和集电极—发射极电压vce控制在soa之内是十分重要的。soa分为正偏安全工作区(fbsoa)、反偏安全工作区(rbsoa)、开关安全工作区(ssoa)和短路安全工作区(scsoa)。 2、 各安全工作区的物理概念 igbt的soa表明其承受高压大电流的能力,是可靠性的重要标志。 2.1正偏安全工作区(fbsoa) fbso是处于vge>阈值电压vth的输出特性曲线的有源区之内,如图1所示。图1中abcdo所包围的区域为直流安全工作区。ab段为tc=80℃限制的最大直流电流ic。b点对应的ic和vce的乘积等于最大耗散功率pcm。bc段为等功耗线。cd段为二次击穿限制的安全工作区的边界,此段不是等功耗。随着vc

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