当前位置:维库电子市场网>IC>ste110ns20fd 更新时间:2024-09-24 23:21:08

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ste110ns20fd中文资料

  • 标准包装:

    10

  • 类别:

    半导体模块

  • 家庭:

    FET

  • 系列:

    MESH OVERLAY™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    110A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    24 毫欧 @ 50A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    504nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    7900pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    500W

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ISOTOP

  • 供应商设备封装:

    ISOTOP?

  • 包装:

    管件

  • 其它名称:

    497-2657-5

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