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  • 标准包装:

    10

  • 类别:

    半导体模块

  • 家庭:

    FET

  • 系列:

    SuperMESH™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    900V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    40A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    180 毫欧 @ 20A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4.5V @ 150µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    826nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    25000pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    600W

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ISOTOP

  • 供应商设备封装:

    ISOTOP?

  • 包装:

    管件

  • 其它名称:

    497-4337-5

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