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STP11NM60 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/T... STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] STP11NM60PDF下载
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STP11NM60N N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO... STMICROELECTRONICS STP11NM60NPDF下载
STP11NM60FD N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-22... STMICROELECTRONICS STP11NM60FDPDF下载
STP11NM60FD MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 STP11NM60FDPDF下载
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STP11NM60FP N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/T... STMICROELECTRONICS STP11NM60FPPDF下载
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STP11NM60_07 N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A... STMICROELECTRONICS STP11NM60_07PDF下载

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用于LED路灯的高效率电源驱动器设计方案
os 管的损耗，包括导通损耗和开关损耗。2）二次侧整流二极管的损耗。3）高频变压器的损耗，主要包括铁损、铜损及漏感造成的损耗。为提高电源的效率，主要需从这三个方面采取措施，减小损耗。 2.2 控制方式及零电压开通设计本设计中，采用st 公司的l6562 作为主控芯片， l6562 是一款经济型功率因数校正控制器。反激式电源工作在不连续导电模式（dcm） , 通过前端emi 滤波器自动实现高的功率因数。为减小初级mos 管损耗，我们选用st 公司的mos 管stp11nm60 , 导通电阻0145 ω , 可以有效减少导通损耗，并采用准谐振技术，实现对mos 管的零电压开通，可以最大限度地减小开关损耗。自从20 世纪70 年代以来，软开关得到了充分发展，准谐振技术也有了成熟的应用。l6562 本身就具有零电压开通检测管脚，可以较为方便地实现当mos 管漏极电压降到谷底时将其开通。具体设计如图1 所示，其中， t1 为变压器的一次侧绕组， t2 为辅助绕组。1） t0 ～ t1 时段， mos 管m1 开通，整流输出电压uc 流经变压器

STP11NM60
11.0A/600V
STP11NM60
电流参数：ID=11A电压参数：UDS=600V/UGS=±30V功率：Ptot=160W其他参数：10V/0.4Ω,trr=390ns极性：N备注：(STB11NK60)

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