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TE28F320 3 Volt Advanced Boot Block Flash Mem... INTEL TE28F320PDF下载
TE28F320 3 Volt Advanced Boot Block Flash Mem... INTEL [Intel Corporation] TE28F320PDF下载
TE28F320B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ... INTEL [Intel Corporation] TE28F320B3PDF下载
TE28F320C3 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Fl... INTEL TE28F320C3PDF下载
TE28F320C3 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Fl... INTEL [Intel Corporation] TE28F320C3PDF下载
TE28F320J3C Intel StrataFlash Memory (J3) INTEL TE28F320J3CPDF下载
TE28F320J3C Intel StrataFlash Memory (J3) INTEL [Intel Corporation] TE28F320J3CPDF下载
TE28F320B3B90 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ... INTEL TE28F320B3B90PDF下载
TE28F320B3B90 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ... INTEL [Intel Corporation] TE28F320B3B90PDF下载
TE28F320B3T90 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ... INTEL TE28F320B3T90PDF下载

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历史最低报价：￥15.0000 历史最高报价：￥50.0000 历史平均报价：￥30.0000

基于eCos操作系统的FLASH驱动程序分析与移植
持sram，flash，rom，vlio(静态段支持可变等待时间i／o设备)和sdram(同步动态ram)等外部扩展存储器。gt2000的外部地址空间是按体(bank)划分的，有四个体属于静态存储器区域，由引脚cs0～cs3选择，在将flash，sram，vlio(用作其他外设接口)等静态i／o设备地址分别设计在cs0～cs2区域内，由gt2000内部的外部内存访问接口(emi)控制器中的静态内存访问控制寄存器(smcr)进行访问控制，分配地址访问接口。系统目标板选用两片intel公司的te28f320的flash(16位)并联获得32位总线宽度。intel公司的te28f320是32 mb(2 m×16 b)多功能flash，2．7～3．6 v单电源供电，读取时间为70 ns，封装格式为48-pin tsop(12 mm×20 mm)或48-ball tfb-ga，可被擦写10 000次。方舟的jtag仿真器支持te28f320 flash，可以通过jtag接口进行在线读写和擦除，这给调试程序和硬件提供了方便。 flash的电路原理图以及gt2000的引脚“dack[2．．1]／md_

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