带有此标记的料号:
1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。
2
TSOP48/0849+
一定原装房间现货
TE28F400B3T110
50000
TSOP48/23+
原装现货
TE28F400B3T110
50000
TSOP48/23+
原装现货
TE28F400B3B90
302
TSSOP/21+
百分百原装,有挂有货,假一赔十
TE28F400B3
2015
TSOP/1737+
注重品质,价格优势
TE28F400B3
6577
TSOP/2023+
终端可免费供样,支持BOM配单
TE28F400B3
3588
-/-
原装 部分现货量大期货
一个字后,要延时足够的时间,否则就不能正常地写入下一个字。写完后,需要将flash rom重新设置为读模式,这样才能在开发环境ccs中看到正确的结果。te28f400b3的最大读取速度为90ns,而tms320vc5409最大只能设置7个等待状态,因此设置dsp的clkmd1、clkmd2、clkmd3管脚,使dsp在上电复位时的系统时钟为50mhz。这样就能保证可靠地读取flash的数据。在完成引导过程后,必须首先将clkmd寄存器清零,然后重新设置clkmd寄存器,使系统时钟为100mhz。te28f400b3的主要操作命令如表2所示。表1 16位并行引导模式的代码结构10aaswwsr寄存器的初始值bscr寄存器的初始值程序入口地址xpc值程序入口地址pc值程序代码的长度程序起始地址xpc值程序起始地址pc值程序代码...0000(表示自举有结束)表2 te28f400b3的主要操作命令命 令第一总线周期第二总线周期操作地址数据操作地址数据读写xxxffh 读状态寄存器写xxx70h读xxx寄存器数据擦除写xxx20h写块地址doh写写xxx40h写程序地址程序数据4 实验系统减震弹簧振动实验
ms320vc5409含16k字的片内rom和32k字的片内daram,程序空间的寻址范围达到8m数据和i/o空间寻址范围分别为64k。单周期指令执行时间为10ns,双电源(1.8v和3.3v)供电,带有符合ieee1149.1标准的jtag边界扫描仿真逻辑。 dsp电路采用16位并行自引导模式,对于tms320vc5409,用户程序存储在外部数据空间(8000h~ffffh)中,因此外扩了一片flash rom作为数据存储空间。flash rom采用intel公司的te28f400b3t90te28f400b3t90(256k×16),它共分为15块(8块4k字,7块32k字),可单独擦写其中的一块。编程电压只需3.3v,最快的读取速度达到90ns。系统外扩了一片sram作为外部程序空间。sram采用cypress公司的cy7c1041bv33(256k×16),存取速度达到10ns。 2.3 a/d转换电路 信号的采集和转换是由ad7874完成的。ad7874ad7874是ad公司生产的12位a/d转换器。系统要求输入输出信号相位要同步,ad7874内置采样保持器,能够实现四路信号的同步采样。同