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摘要:topswitch-gx器件是一种pwm/mosfet二合一的新型集成芯片,它采用与topswitch相同的电路,扩展了topswitch系列的功率范围,还集成了多项新功能。介绍了一种用top249y设计的封闭式电源,使用了topswitch-gx的线路检测功能和外部限流功能,设计新颖,具有一定的实用性。 从20世纪70年代以来,大规模集成电路技术的迅速发展,使开关电源有了质的飞跃,掀起了电源产品高频化、小型化、模块化的浪潮。对于200w以下的开关电源,与其它电路相比,应用topswitch所需的元器件最少。目前开关电源的体积主要还是由电容、电感和变压器等储能元件决定,而应用topswitch系列器件的电路简捷,体积小,重量轻,自保护功能齐全,设计方便。topswitch-gx采用与topswitch相同的拓扑电路,将高压功率mosfet、脉宽调制(pwm)控制器、故障自动保护和其它控制电路集成到单片cmos芯片中,工作频率提高到132khz.topswitch-gx系列最大输出功率。 topswitch-gx不仅扩展了topswitch系列的功率范围,将单电压输入时的最大功率提
该DC/DC变换式开关电源采用一片TOP249Y,输入为250V~380V直流电压,输出为48V、5.2A(250W),电源效率可达84%。其电路如图所示。C1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于TOP249工作在它的功率上限...
该DC/DC变换式开关电源采用一片TOP249Y,输入为250V~380V直流电压,输出为48V、5.2A(250W),电源效率可达84%。其电路如图2所示。C1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于TOP249工作在它的功率上...
摘要:介绍了一种采用TOP249Y智能控制集成芯片设计的开关电源的方法,同时介绍了TOP249Y芯片的内部结构及工作原理,给出了基于TOP249Y的单端反激式开关电源的设计电路,并对外围电路的设计进行了分析说明。
该dc/dc变换式开关电源采用一片top249y,输入为250v~380v直流电压,输出为48v、5.2a(250w),电源效率可达84%。其电路如图2所示。c1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于top249工作在它的功率上限,因此需将x端与源极s短接,把极限电流设置为内部最大值,即ilimit=ilimit(max)=5.7a。在l端到ui之间接一只2mω的电阻r1,可进行线路检测。若ui>450v,则top249y停止工作,直到电压恢复正常。这就有效地防止了元器件损坏。 由于初级电流较大,须采取以下措施:第一,采用低泄漏电感的高频变压器并在初、次级之间增加屏蔽层,将漏感减至最小;第二,在钳位保护电路中的瞬态电压抑制器两端并联阻容元件r2、r3、c6,构成保护功能完善的vdz1、vd1、r、c型钳位及吸收电路,以便吸收掉漏感上较大的磁场能量。这种设计的优点在于,正常工作时vdz1的损耗非常小,泄漏磁场能量主要由r2和r3分担;vdz1的关键作用是限制在起动(或过载)情况下的尖峰电压,确保内部mosfet的漏极电压低于700v。 次级绕组电压首先经过vd2、
topswitchgx适合制作低成本、高效率、小尺寸、全密封式开关电源模块或电源适配器(adapter)。由top249y构成的密封式70w(19v,3.6a)通用开关电源模块,电路如图1所示。当环境温度不超过40℃时,模块的外形尺寸可减小到10.5mm×5.5mm×2.5mm。设计的交流输入电压范围是85v~265v,这属于全世界通用的电压范围。该电源能同时实现输入欠压保护、过压保护、从外部设定极限电流、降低最大占空比等功能,其主要技术指标为: 额定输出功率po=70w; 负载调整率si=±4%; 电源效率η≥84%(当交流输入电压u=85v时,满载效率可达85%;当u=230v时,电源效率高达90%); 空载功率损耗<0.52w(u=230v时); 图1高效率70w通用开关电源模块电路 输出纹波电压≤120mv(峰峰值)。该电源共使用3片集成电路:top249y型6端单片开关电源(ic1);线性光耦合器pc817a(ic2);可调式精密并联稳压器tl431(ic3)。电阻r9和r10用来从外部设定功率开关管的漏极极限电流,使之略高于满载或输入欠
该dc/dc变换式开关电源采用一片top249y,输入为250v~380v直流电压,输出为48v、5.2a(250w),电源效率可达84%。其电路如图所示。c1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于top249工作在它的功率上限,因此需将x端与源极s短接,把极限电流设置为内部最大值,即ilimit=ilimit(max)=5.7a。在l端到ui之间接一只2mω的电阻r1,可进行线路检测。若ui>450v,则top249y停止工作,直到电压恢复正常。这就有效地防止了元器件损坏。 由于初级电流较大,须采取以下措施:第一,采用低泄漏电感的高频变压器并在初、次级之间增加屏蔽层,将漏感减至最小;第二,在钳位保护电路中的瞬态电压抑制器两端并联阻容元件r2、r3、c6,构成保护功能完善的vdz1、vd1、r、c型钳位及吸收电路,以便吸收掉漏感上较大的磁场能量。这种设计的优点在于,正常工作时vdz1的损耗非常小,泄漏磁场能量主要由r2和r3分担;vdz1的关键作用是限制在起动(或过载)情况下的尖峰电压,确保内部mosfet的漏极电压低于700v。 次级绕组电压首先经过vd2
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