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请查阅ti相关参考资料）。*tst：测试寄存器，通常不用。（保留，用于测试。）*wadrs：写地址寄存器，用于存储写操作地址。*wdata：写数据寄存器，用于存放写操作数据。（2）清“0”操作清“0”操作按扇区进行，f206的flash每一区的大小为32个字（word）。进行清“0”操作就是对flash存储单元的非零位（即值为“1”）写入0，使各数据位的边缘保持一致；通常的做法是将flash存储单元中的数据读出，与ffffh进行异或（xor）后，再写回flash存储单元中。清“0”操作后，需调用ver0功能对flash块进行0校验。（3）置“1”操作置“1”操作按扇区进行，对每个存储单元写入“1”；执行置“1”操作后需要调用ver1功能进行校验。置“1”操作后，flash块存储单元的值均为ffffh。如果置“1”正确，则可以进行下一步的数据写入数据。图3 （4）数据写入数据只能写入已经置“1”的存储单元，对于同flash存储单元只能写一入一次；如要改变存储单元中的内容，必须重新进行清“0”和置“1”的操作后才能写入新的数据。否则，会使存储单元中各个数据位的“边缘”不一致，从单元中读出的
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