维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

利用F206片内Flash进行在线编程
ata：写数据寄存器，用于存放写操作数据。（2）清“0”操作清“0”操作按扇区进行，f206的flash每一区的大小为32个字（word）。进行清“0”操作就是对flash存储单元的非零位（即值为“1”）写入0，使各数据位的边缘保持一致；通常的做法是将flash存储单元中的数据读出，与ffffh进行异或（xor）后，再写回flash存储单元中。清“0”操作后，需调用ver0功能对flash块进行0校验。（3）置“1”操作置“1”操作按扇区进行，对每个存储单元写入“1”；执行置“1”操作后需要调用ver1功能进行校验。置“1”操作后，flash块存储单元的值均为ffffh。如果置“1”正确，则可以进行下一步的数据写入数据。图3 （4）数据写入数据只能写入已经置“1”的存储单元，对于同flash存储单元只能写一入一次；如要改变存储单元中的内容，必须重新进行清“0”和置“1”的操作后才能写入新的数据。否则，会使存储单元中各个数据位的“边缘”不一致，从单元中读出的数据与写入的数据不一致。由于flash擦除次数有限，因此不可能每次修改和定改数据时都进行擦除操作，而应将每次修改后的参数（表）连续写

方向口仿真问题！
程序中也要？吴明诗？library ieee; use ieee.std_logic_1164.all;entity hct245 is port(a, b : inout std_ulogic_vector(7 downto 0); dir, gbar : in std_logic);end hct245;architecture ver1 of hct245 isbegin a <= b when (gbar = '0') and (dir = '0') else (others => 'z'); b <= a when (gbar = '0') and (dir = '1') else (others => 'z');end ver1;这是个inout的例子程序，但是与我写的那个程序有点不一样。因为这里a b都是inout，而我的程序中只有a是inout，b c都是单向的。我的程序很简单，如果可能希望你帮我改一下谢谢兄弟！
vhdl的疑问：
疑问：我按照网上1vhdl范例写了一段代码，却编译不通！！！网上的vhdl范例：library ieee;use ieee.std_logic_1164.all;entity hct175 is port(d : in std_logic_vector(3 downto 0); q : out std_logic_vector(3 downto 0); clrbar, clk : in std_logic);end hct175;architecture ver1 of hct175 isbegin q <= (others => '0') when (clrbar = '0') else d when rising_edge(clk) else unaffected;end ver1;我的vhdl语句如下：library ieee;use ieee.std_logic_1164.all;entity in3of1 is port(clk:in std_logic; ou
新手请教：CPLD与51的接口问题，在线等！
7a用的是bidir类型hct245x是vhdl编的，代码如下library ieee; use ieee.std_logic_1164.all;entity hct245x is port(a0,a1,a2,a3,a4,a5,a6,a7 : inout std_logic; b0,b1,b2,b3,b4,b5,b6,b7 : inout std_logic; dir, oe : in std_logic);end hct245x;architecture ver1 of hct245x isbegin a0 <= b0 when (oe = '0') and (dir = '0') else 'z'; a1 <= b1 when (oe = '0') and (dir = '0') else 'z'; a2 <= b2 when (oe = '0') and (dir = '0') else 'z'; a3 <= b3 when (oe = '0') and (dir = '0') else 'z'; a4 &
VHDL 程序举例大全-时序逻辑
of the statement. -- uses 1993 std vhdllibrary ieee;use ieee.std_logic_1164.all;entity hct175 is port(d : in std_logic_vector(3 downto 0); q : out std_logic_vector(3 downto 0); clrbar, clk : in std_logic);end hct175;architecture ver1 of hct175 isbegin q <= (others => '0') when (clrbar = '0') else d when rising_edge(clk) else unaffected;end ver1;更多请看 http://www.icedu.net/xxlr1.asp?id=244
请教18f452中大RAM的使用方法
的确有问题,但可以用结构体来解决struct{unsigned int ver1[40];unsigned int ver2[40];unsigned int ver3[40];unsigned int cur1[40];unsigned int cur2[40];unsigned int cur3[40];}array;