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Zetex推出新款无铅封装MOSFET产品ZXMN2F34MA
大得多的 sot23 封装。该器件采用的 dfn322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%，有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5v 和 2.5v 的典型栅源极电压下，zxmn2f34ma 的导通电阻值分别仅有60mω和120mω。此外，新器件的反向恢复电荷较低，可减少开关损耗和电磁辐射（emi）问题，非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用，这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。 zxmn2f34ma 系列采用 dfn322 封装，其中 zxmn2f34fhta、zxmn2f30fhta和 zxmn3f30fhta 三款采用 sot23 封装的 n 沟道mosfet；zxmn3f31dn8 和 zxmn3g32dn8 两款则是采用 so8 封装的双 n 沟道器件。

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漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

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zxmn2f34fhta替代型号

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