12000
SOT23/2025+520
--/专注替代/降本增效-
ZXMN2F34FHTA
9000
SOT23/23+
优势产品大量库存原装现货
ZXMN2F34FHTA
35600
NEW/NEW
一级代理保证
ZXMN2F34FHTA
7600
SOT23/22+
原装
ZXMN2F34FHTA
300000
SOT23/23+
一级代理商可提供技术方案支持
ZXMN2F34FHTA
65000
-/24+
现货库存
ZXMN2F34FHTA
3600
SOT23/24+
支持原厂技术原装现货库存
ZXMN2F34FHTA
1550
SOT23/1137+
全新原装现货
ZXMN2F34FHTA
5000
SOT23/25+
原装现货,价格优势,提供配单服务
ZXMN2F34FHTA
426656
SOT23/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
ZXMN2F34FHTA
41000
SDM/DIP/24+
大量现货 提供一站式配单服务
ZXMN2F34FHTA
48000
SDM/DIP/24+
原装现货,可开专票,提供账期服务
ZXMN2F34FHTA
90000
SOT23/25+
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
ZXMN2F34FHTA
35500
SOT233/2025+
一级代理,原装假一罚十价格优势长期供货
ZXMN2F34FHTA
28900
-/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十
ZXMN2F34FHTA
59826
SOT23(SOT233)/21+22+
场效应管(MOSFET)N沟道 20V 3.4A类型N沟道 漏源电
ZXMN2F34FHTA
5000
SOT23/23+
优势产品大量库存原装现货
ZXMN2F34FHTA
30000
SOT23/22+
高端大芯片完美替代
ZXMN2F34FHTA
9200
SOT23/23+
只做原装更多数量在途订单
3,000
分离式半导体产品
FET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
20V
3.4A
60 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
277pF @ 10V
950mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
带卷 (TR)
ZXMN2F34FHTR
大得多的 sot23 封装。该器件采用的 dfn322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%,有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5v 和 2.5v 的典型栅源极电压下,zxmn2f34ma 的导通电阻值分别仅有60mω和120mω。 此外,新器件的反向恢复电荷较低,可减少开关损耗和电磁辐射(emi)问题,非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用,这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。 zxmn2f34ma 系列采用 dfn322 封装,其中 zxmn2f34fhta、zxmn2f30fhta和 zxmn3f30fhta 三款采用 sot23 封装的 n 沟道mosfet;zxmn3f31dn8 和 zxmn3g32dn8 两款则是采用 so8 封装的双 n 沟道器件。