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ZXM66P03N8TC

更新时间:2025-05-12 07:16:36
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ZXM66P03N8TC的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Diodes Inc.
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：- 7.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：16.3 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.56 W
  • 上升时间：16.3 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：94.6 ns
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