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ZXMD65P02N8TC

更新时间:2025-05-12 12:21:07
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ZXMD65P02N8TC 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=-5.1A/IDM=-18A/IS=-3.1A/ISM=-18A
    电压参数：UDSS=-20VUGS±12V
    功  率：PD=1.25W
    其他参数：4.5V/0.05Ω,2.5V/0.08Ω,trr=39.2ns
    极  性：P

ZXMD65P02N8TC的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXMD65P02N8TC外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：960pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOP
  • 包装：带卷 (TR)
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