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ZXMD65P03N8TC

更新时间:2025-05-26 23:58:02
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ZXMD65P03N8TC 规格参数
  • 制造商
    Diodes Inc.
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    4.8 A
  • 配置
    Dual Dual Drain
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOIC-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    6.4 ns
  • 功率耗散
    2000 mW
  • 上升时间
    6.4 ns
  • 典型关闭延迟时间
    49.5 ns
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