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ZXMN10A11KTC

更新时间:2025-05-17 22:23:20

供应商
产品型号
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厂商
封装/批号
说明
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深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装、原厂优势渠道、假一赔十

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只做原厂原装假一罚十可含税

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收此型号ZXMN10A11KTC

深圳市科鑫美电子有限公司
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25000
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ZXMN10A11KTC 概述

ZXMN10A11KTC是Zetex公司（现已被Diodes Incorporated收购）生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性。基础描述方面，其最大漏源电压为20V，在栅源电压为4.5V时，典型导通电阻仅为0.036Ω，这有助于降低导通损耗。该MOSFET适用于多种应用场景，如负载开关电路中，可有效控制电源的通断。在DC - DC转换器中也常被使用，能提高转换效率。在使用时要注意，由于它是MOSFET器件，对静电较为敏感，在焊接和操作过程中应做好防静电措施。例如，在搭建负载开关电路时，可将其源极连接电源正极，漏极连接负载一端，通过控制栅极电压来控制负载的供电状态。

ZXMN10A11KTC 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
350 毫欧 @ 2.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
274pF @ 50V
功率 - 最大
2.11W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
ZXMN10A11KTCTR

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