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ZXMN6A08KTC

更新时间:2025-05-21 03:27:00

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ZXMN6A08KTC 概述

ZXMN6A08KTC是来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型值仅为0.037欧姆，有助于减少导通损耗。其最大漏极电流可达3.6A，适用于多种功率管理应用。常见应用场景包括负载开关、电源管理模块和直流-直流转换器等。在电池供电设备中作为高效能开关使用时，能够有效提升整体效率。在实际电路设计中，建议根据具体工作电压与电流要求合理选择驱动电阻，并确保散热条件满足要求以维持稳定运行。同时注意其最大耐压值为20V，防止超出额定参数范围造成损坏。

ZXMN6A08KTC 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.36A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
459pF @ 40V
功率 - 最大
2.12W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
ZXMN6A08KTCTR

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