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ZXTDB2M832TA

更新时间:2025-06-27 15:28:35
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ZXTDB2M832TA 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    4.5A，3.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    25nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V
  • 功率 - 最大
    1.7W
  • 频率 - 转换
    140MHz，180MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-MLP
  • 供应商设备封装
    8-MLP（3x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    ZXTDB2M832TATR
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