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ZXTDE4M832TA

更新时间:2025-07-08 12:42:38
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ZXTDE4M832TA 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3.5A，2.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    80V，70V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    25nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    160MHz，180MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-MLP
  • 供应商设备封装
    8-MLP（3x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    ZXTDE4M832TATR
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