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2N5639

更新时间:2024-04-11 22:10:11
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  • 其它信息:

    0.025A/30V

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2N5639外观图

  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:JFET(结点场效应
  • 系列:-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):25mA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大:-
  • FET 型:N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:10pF @ 12V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开):60 欧姆
  • 安装类型:通孔
  • 包装:散装
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 功率 - 最大:310mW
  • 其它名称:2N5639OS
2N5639 相关信息
  • 数显量具和51单片机的接口电路
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