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2N5639RLRAG

更新时间:2025-05-07 22:07:37

供应商
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厂商
产品参数
说明
询价

深圳市昴泽电子有限公司
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艾睿（深圳）实业有限公司
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1.5KE47CA TC74LVX08FT B230-13-F SD12T1G HMC375LP3ETR AT29C020-90PI SPX1117M3-L/TR DTA114ES

2N5639RLRAG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N5639RLRAG外观图

标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：25mA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大：-
FET 型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：-
输入电容 (Ciss) @ Vds：10pF @ 12V（VGS）
电阻 - RDS（开）：60 欧姆
安装类型：通孔
包装：带卷 (TR)
封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装：TO-92-3
功率 - 最大：310mW

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