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2SK1317-E

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  • 大小:82.99KB
  • 厂家:RENESAS [Renesas Technology Corp]
  • 描述:Silicon N Channel MOS FET
  • 晶体管极性::?频道
  • 电流, Id 连续::2.5A
  • 电压, Vds 最大::1.5kV
  • 在电阻RDS(上)::12ohm
  • 电压 @ Rds测量::15V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值::4V
  • 功耗, Pd::100W
  • 封装类型::TO-3P
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功率, Pd::100W
  • 功耗::100W
  • 封装类型::TO-3P
  • 引脚节距::5.45mm
  • 晶体管数::1
  • 温度 @ 电流测量::25°C
  • 满功率温度::25°C
  • 漏极电流, Id 最大值::2.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量::15V
  • 电压, Vds 典型值::1.5kV
  • 电压, Vgs 最高::4V
  • 电流, Idm 脉冲::7A
  • 表面安装器件::通孔安装
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