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Silicon N-Channel MOS FET
HITACHI
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Silicon N-Channel MOS FET
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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Silicon N Channel MOS FET
RENESAS [Renesas Technology Corp]
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管互补推挽电路上，这里也可使用盒式的电路ic。 图1是功率mosfet的门驱动用ic为el7212c(图2)的例子，如果使用这样的ic，则很容易实现高速开关．输 出电路是mosfet的推挽形式，可取出大的峰值输出电流． 图1 由专用ic组成的功率mosfet驱动 图2 由功率mosfet驱动el7212c的构成 图3是使用el7212c的电路的开关波形。可以说其具有优越的特性，扩大到250ns/div，的图形如图4所示。ch1是脉冲振荡器的输出波形，ch2是2sk1522的漏极波形。导通延迟时间极小，关闭延迟时间变为略小于750ns。 图3 使用el7212c驱动电路的开关特性 图4 实验用脉冲发生器的输出波形和功率mosfet的漏极波形 来源:ks99
前面实验的功率mosfet是漏极损耗15ow的器件。下面，针对大容量的功率mosfet进行实验。 这里，使用2sk1522(pd＝250w、vds＝50ov、ids＝50a、ciss＝87oopf、crs＝235pf、ron＝0. 11ωmax；日立制造)，门极输入电容是2sk1379的几倍。 实验电路中为观测门极电流ig及漏极电流id的波形，夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡，所以并联连接8个3w、200ω的氧化金属薄膜电阻，当用于开关的输人占空比极小不能测定时就会发热． 图1 250w功率mosfet的开关特性测定电路 图2 功率mosfet的特性测定电路 观察驱动电路的特性之前，使用脉冲发生器，研究对门极电阻rg的开关的依赖性。 图1是测试电路中，rg＝100ω(脉冲发生器的终端电阻为50ω)时的门极一源极间电压vgs、漏极－源极间电压vds的开关波形。这里为进行直观的比较，实验电路的测定条件固定(脉冲幅度1oμs、时间轴2.5μs/div)。 从波形图可知，vgs波形上升很快，高速时fet为on。vd
2sk2645 600 9 50 2sk798 100 40 150 irf630 200 9 75 * * nmos 2sk799 450 12 120 irf730 400 5.5 75 * * nmos 2sk850 100 40 125 mtp5p25 250 5 75 pmos 2sk1522 500 50 250 n 2sk1629 500 30 200 n 表六：音响功放配对三极管 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 2sa1215 160 15 150 pnp 2sc2921 160 15 150 npn
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