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BGA63/20+
一律进口原装，假一罚十，实单请详询
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原装现货，有挂就有货
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10+/BGA
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BGA/23+
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其它信息：
高密度NAND Flash存储器：多达2G位存储器阵列，成本效益的解决方案作为大容量存储应用；NAND接口：8倍或16倍总线宽度，多路复用地址/数据；电源电压：1.8V或3.0V；页面大小：8倍设备(2048＋64备用)字节，16倍设备(1024＋32备用)字节；块大小：8倍设备(128K＋4K备用)字节，16倍设备(64K＋2K备用)字节；多架构：阵列分裂成2个独立层面，在同一时间程序/擦除操作可以在2个层面完成；页读/程序：随机存取：25μs(最大值)，顺序存取：25ns(最小值)，页程序操作时间：200μs(典型值)；多页程序时间(2页)：200μs(典型值)；缓存读方式；快速块擦除：块擦除时间：1.5ms(典型值)，多块擦除时间(2块)：1.5ms(典型值)；状态寄存器；数据保护：硬体程式/擦除锁定在电源转换期间；数据的完整性：10000程式/擦除周期(具有ECO)，10年的数据保留时间；VDD＝1.7～1.95V；总线宽度：8倍
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