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NAND04GW3B2B

更新时间:2024-03-30 05:27:06
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NAND04GW3B2B 相关资料

  • 其它信息：

    高密度NAND Flash存储器：多达4G位存储器阵列，高达256M位备用区域，成本效益的解决方案作为大容量存储应用；NAND接口：8倍总线宽度，多路复用地址/数据；电压供应：3.0设备，电源2.7～3.6V；页面大小：(2048＋64各用)字节；块大小：(128K＋4K备用)字节；页读/程序：随机存取：25μs(最大值)，顺序存取：30ns(最小值)，页程序操作时间：200μs(典型值)；状态寄存器；数据保护：硬体程式/擦除锁定在电源转换期间；数据的完整性：10000程式/擦除周期(具有ECC)，10年的数据保留时间

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