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BF1211

更新时间:2024-09-23 17:32:00
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  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
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  • BF1211WR[技术参数]制造商:NXP 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:0.03 ABF1211WR,115[技术参数]标准包装:1 类别:分离式半导体产品 家庭:RF FET 系列:- 晶体管类型:N 通道双门 频率:400MHz 增益:29dBBF1212,215[技术参数]标准包装:1 类别:分离式半导体产品 家庭:RF FET 系列:- 晶体管类型:N 通道双门 频率:400MHz 增益:30dBBF1501[相关信息]...子是为数不多的从功率器件开始切入的企业。自2003年开始致力于集成电路及功率器件开发以来,比亚迪微电子立足于自主研发,结合欧美先进技术,成功开发多款具有世界先进水平的功率器件,多款产品已经获得包括诺基亚、三星在内的多家国际知名公司的认证和批量使用。 在本次展览中,比亚迪微电子的半导体产品以模拟/功率器件为主,包括IGBT、DC-DC、AC-DC等一系列电源管理产品系列以及多... BF1212 BF-1212-12SV-Y70 BF1212R BF1212WR BF1214 BF1216 BF122 BF-12C22-19SV-Y103 BF130 BF131 BF132 BF133 BF134 BF136 BF137 BF138 BF140 BF140A BF140D BF140S
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