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CSD75205W1015

更新时间:2025-05-16 16:13:18
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CSD75205W1015外观图

CSD75205W1015

Texas Instruments FET - 阵列

MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA

  • 封装:6-UFBGA，DSBGA
CSD75205W1015 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    120 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    850mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    265pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    750mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装
    6-DSBGA（1x1.5）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-25335-6
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