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CSD86311W1723

更新时间:2025-05-08 02:48:47
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RB160L-40 TE25PMEG4010EJIRF7342TRPBFLM393STSTS9NF30LICE3B0365JBFR31IRF1404ZPBF
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  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：39 毫欧 @ 2A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：585pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：12-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装：12-DSBGA（2.43x1.96）
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：296-27599-6
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