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CSD86311W1723

更新时间:2025-06-09 13:10:59
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CSD86311W1723外观图

CSD86311W1723

Texas Instruments FET - 阵列

MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

  • 封装:12-UFBGA，DSBGA
CSD86311W1723 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    39 毫欧 @ 2A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    585pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    12-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装
    12-DSBGA（2.43x1.96）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-27599-6
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