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HGTP3N60B3

更新时间:2025-06-10 21:00:57

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说明
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市福田区汇融电子经营部
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深圳市跃创芯科技有限公司
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只做原装进口现货，专注配单

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深圳市金和信科技有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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HGTP3N60B3 概述

HGTP3N60B3是一款由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的高压MOSFET。该器件采用先进的功率半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）在25°C时为3A。它适用于多种电源管理和转换应用，如交流-直流适配器、电机驱动控制、不间断电源系统(UPS)以及照明控制系统等。封装形式通常为TO-220，便于散热设计和安装。由于其良好的热稳定性和高可靠性，在需要高效能和紧凑设计的电力电子设备中表现出色。使用时应注意栅极驱动电路的设计，以确保最佳的开关性能并避免误触发。

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