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IRFR1010ZTRPBF

更新时间:2025-05-16 18:03:48

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
IRFR1010ZTRPBF
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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深圳市南科功率半导体有限公司
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认证现货
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NK/南科功率
TO252/2025+520
--/专注替代/降本增效-

瀚盈电子(深圳)有限公司
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优势
16500
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市广运诚科技有限公司
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优势
16584
INFINEON
-/22+
诚信合作一站配件

深圳市安信普科技有限公司
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优势
6000
Infineon
-/-
-

深圳市福田区汇融电子经营部
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优势
4300
INFINEON/英飞凌
TO252/22+
13年行业经验挂帅启航/一站配齐/当天出货

深圳市钜麟科技有限公司
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优势
4000
INFINEON/IR
PGTO2523 (DPAK)/24+
-

深圳市芯福林电子科技有限公司
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7930
IR
-/TO252
原装正品

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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免费样品
300000
JSMSEMI/杰盛微
TO252/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市科鑫美电子有限公司
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28683
IR
TO252/21+
原装现货终端免费提供样品

北京天阳诚业科贸有限公司
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1200
INFINEON
TO2523/23+
现货常备库存京北通宇商城可查价格

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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70000
IR
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原装现货

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
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TO252/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市跃创芯科技有限公司
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30000
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进口原装现货供应，原装假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司
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3350
IR
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
IR
SOT252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市华斯顿科技有限公司
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12800
INFINEON/英飞凌
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原装/支持实单/原盒原标原盘/原管

现代芯城（深圳）科技有限公司
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70000
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深圳市威雅利发展有限公司
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原厂渠道，现货配单

深圳市华斯顿科技有限公司
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Infineon
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原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

深圳市创宝来科技有限公司
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9800
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原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

深圳市芯齐壹科技有限公司
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进口原装现货供应，原装假一罚十

深圳市华美锐科技有限公司
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DPAK (TO252)/16+
原装正品热卖，价格优势

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6500
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TO252/23+
只做原装现货

中科航电（深圳）电子集团有限
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TO252/-
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市汇莱威科技有限公司
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68900
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2020/24+
一站配齐原盒原包现货朱S Q2355605126

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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6000
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TO252/22+
终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市宇集芯电子有限公司
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90000
INFINOEN
TO252/25+
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理

深圳市信科微科技有限公司
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89800
INFINEON/英飞凌
TO252/25+
原装低价优势配单十年

深圳市华美锐电子有限公司
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52701
INFINEON/英飞凌
TO252/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市硅诺电子科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
C0603/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市锂斯特电子有限公司
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一级代理现货保证进口原装假一罚十价格合理

深圳市伟欣华电子有限公司
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150000
INFINEON/英飞凌
TO252/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单

现代芯城（深圳）科技有限公司
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70000
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深圳市腾桩电子有限公司
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深圳市腾桩电子有限公司
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深圳市旺财半导体有限公司
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深圳市伟易兴科技有限公司
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深圳市波光电子有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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12550
IR
TO252/1901+
原包装正品渠道现货库存

蓝界科技（深圳）有限公司
IRFR1010ZTRPBF
4000
Infineon Technologies
16+/17+
代理直销，公司原装现货供应

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IRFR1010ZTRPBF外观图

IRFR1010ZTRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

IRFR1010ZTRPBF 概述

IRFR1010ZTRPBF是由英飞凌科技公司生产的N沟道MOSFET。它采用TO-252封装，具有低导通电阻和高效率的特点。这款MOSFET的最大漏源电压为30V，在栅极驱动电压为4.5V时，其最大连续漏极电流可达65A。它适用于需要高效功率转换的应用场景，如直流电机控制、电源管理电路以及电动工具等便携式设备中。在实际应用中，建议根据具体的工作条件选择合适的栅极驱动电阻值以优化开关性能，并确保散热设计合理，防止过热损坏。在设计电路时，可以将此MOSFET与合适的栅极驱动芯片搭配使用，以实现稳定的控制效果。

IRFR1010ZTRPBF 规格参数

标准包装
6,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
42A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫欧 @ 42A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2840pF @ 25V
功率 - 最大
140W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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